Журнал СФУ. Техника и технологии / Электронная структура диоксида олова при легировании Sb и V

Полный текст (.pdf)
Номер
Журнал СФУ. Техника и технологии. 2014 7 (2)
Авторы
Добросмыслов, С.С.; Кирко, В.И.; Нагибин, Г.Е.; Попов, З.И.
Контактная информация
Добросмыслов, С.С.:Сибирский федеральный университет Россия, 660041, Красноярск, пр. Свободный, 79; Кирко, В.И.:КГПУ им. В.П. Астафьева Россия, 660049, Красноярск, ул. Ады Лебедевой, 89; Нагибин, Г.Е.:Сибирский федеральный университет Россия, 660041, Красноярск, пр. Свободный, 79; Попов, З.И.:Институт физики Россия, 660036, Красноярск, Академгородок, 50 стр. 38
Ключевые слова
ceramics; tin dioxide; electrical conductivity; voltage-current characteristic (VCC); energy-band structure; quantum-chemical modeling; керамика; диоксид олова; электропроводность; вольтамперная характеристика; зонная структура; квантово-химическое моделирование
Аннотация

There was carried out theoretical and experimental investigation of the influence of Sb and V dopes on the electrophysical properties of the SnO2-based ceramic materials. Modeling was done with the help of the program package VASP within the density functional formalism. The SnO2-based ceramics was synthesized according to the standard technology at the sintering temperature 1300 ºС with different Sb dope concentrations (1 to 5 %). The material made with V dopes had a low electrical conductivity. The structure investigation showed Sb being completely dissolved in the SnO2. The calculations showed that the activation energies are Egap(SbSn47O96)= 1.19 eV and Egap(VSn47O96)= 1.33 eV. The experimental investigation showed that the increase of the stibium oxide concentration leads to the decrease of the band-gap energy from 1.33 eV to 0.75 eV. The difference between the calculated activation energy value of the Sb-doped SnO2 and that obtained from the experiments is 19 %

Проведены теоретические и экспериментальные исследования влияния легирующих добавок V и Sb на электрофизические свойства керамического материала на основе диоксида олова. Моделирование осуществлялось с использованием программного пакета VASP в рамках формализма функционала плотности. Керамика на основе диоксида олова синтезировалась по классической технологии при температуре спекания 1300 ºС, с различной концентрацией легирующих добавок сурьмы(от 1 до 5 % ). Материал, полученный при использование ванадия, обладал низкой электропроводностью. Исследование структуры показало полное растворение сурьмы в диоксиде олова. Проведенные расчеты показали, что энергия активации составляет Egap(SbSn47O96)= 1,19 эВ и Egap(VSn47O96)= 1,33 эВ. Экспериментальные исследования свидетельствуют о том, что увеличение концентрации оксида сурьмы приводит к снижению ширины запрещённой зоны с 1,33 до 0,75 eV. Различие между рассчитанным значением энергии активации диоксида олова, легированного сурьмой, и экспериментальными исследованиями составляет 19 %

Страницы
146-153
Статья в архиве электронных ресурсов СФУ
https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/10347

Лицензия Creative Commons Эта работа лицензируется по лицензии Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY-NC 4.0).