Журнал СФУ. Математика и физика / Теоретическое изучение взаимодействия переходных металлов с поверхностью кремния (001)

Полный текст (.pdf)
Номер
Журнал СФУ. Математика и физика. 2010 3 (1)
Авторы
Кузубов, Александр А.; Кожевникова, Татьяна А.; Федоров, Александр С.; Краснов, Павел О.; Попов, Захар И.
Контактная информация
Кузубов, Александр А. : Сибирский федеральный университет; Свободный 79, Красноярск, 660041, Россия, e-mail: ; Кожевникова, Татьяна А. : Сибирский федеральный университет; Свободный 79, Красноярск, 660041, Россия,; Федоров, Александр С. : Институт физики им. Л.В.Киренского СО РАН; Академгородок 50, Красноярск, 660036, Россия,; Краснов, Павел О. : Сибирский государственный технологический университет; Мира 82, Красноярск, 660049, Россия,; Попов, Захар И. : Институт физики им. Л.В.Киренского СО РАН; Академгородок 50, Красноярск, 660036, Россия,
Ключевые слова
физическая химия поверхности; реконструкция; ab-initio расчеты; кремний; си- лициды; surface physical chemistry; surface reconstruction; ab-initio calculations; silicon; silicide
Аннотация

С помощью ab-initio расчетов проведено моделирование взаимодействия атомов кобальта и желе- за с поверхностью кремния (001). При этом найдены наиболее выгодные позиции атомов кобальта и железа на поверхности кремния и показано, что наиболее энергетически выгодны подповерх- ностные положения (UD), когда атомы находятся в позиции под центром димера из атомов кремния. Также проведены расчеты возможных путей миграции атомов данных металлов по поверхности кремния и в подповерхностные положения. С помощью анализа энергии связи по- казано, что с увеличением количества атомов металла (начиная от изолированного атома до полностью заполненного двойного слоя) на поверхности кремния энергия адсорбции атома ме- талла уменьшается на 0,85 эВ (для кобальта) и на 0,90 эВ для железа по сравнению с энергией адсорбции одиночных атомов. Расчет структур с полным двойным заполнением (заполнены как внутренние, так и поверхностные положения) показал, что наиболее энергетически выгодной яв- ляется система с заполненным верхним слоем с симметричным положением атомов металла между двумя димерами одного димерного ряда с атомами металла во внутреннем UD-слое.

Страницы
125-132
Статья в архиве электронных ресурсов СФУ
https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/1604