Журнал СФУ. Техника и технологии: Эпоха GaN в усилителях мощности САТКОМ | Журнал Сибирского федерального университета

Журнал СФУ. Техника и технологии / Эпоха GaN в усилителях мощности САТКОМ

Номер: Журнал СФУ. Техника и технологии. 2015 8 (3)
Авторы: Тёрнер, С.
Контактная информация: Тёрнер, С.:Teledyne Paradise Datacom LLC 328, Инновации бульвар, офис 100 Государственный колледж, PA 16803, США
Ключевые слова: gallium nitride high electron mobility transistors; amplifiers; power amplifiers; нитрид галлия; транзисторы с высокой подвижностью электронов; усилители; усилители мощности
Аннотация: В статье описаны функции, характеристики транзисторов GaN с высокой подвижностью электронов в усилителях мощности. Предельной рабочей температурой широко распространенных до настоящего времени арсенид-галлиевых GaAs-транзисторов является 175 °C. Они уступают транзисторам на основе нитрида галлия GaN, устойчиво работающих и сохраняющих частотные характеристики при рабочих температурах до 2500 °C. Это значительно уменьшает проблему отвода тепла. Эти транзисторы работают при напряжении питания до 100 В против максимально 20 В для GaAs-транзисторов при эквивалентной мощности выходного сигнала. Поэтому GaN-транзисторы и усилители мощности на них особенно актуальны для приложений в космической сфере. В Paradise Datacom (США) разработаны усилители мощности в различных диапазонах частот с мощностью выходного сигнала от 50 до 750 Вт
Страницы: 297-303
Статья в архиве электронных ресурсов СФУ: https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/16838

Эта работа лицензируется по лицензии Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY-NC 4.0).