Журнал СФУ. Техника и технологии / Измерение площади кристаллов, выращиваемых из жидкого расплава по способу Чохральского, на основе управления условиями замыкания контактного датчика уровня расплава

Полный текст (.pdf)
Номер
Журнал СФУ. Техника и технологии. 2015 8 (7)
Авторы
Саханский, С. П.
Контактная информация
Саханский, С. П.:Сибирский федеральный университет Россия, 660041, Красноярск, пр. Свободный, 79;
Ключевые слова
crucible; growing crystals; the level sen; тигель; выращивание; кристаллы; датчик уровня
Аннотация

Для кристаллов, выращиваемых из жидкого расплава по способу Чохральского, разработана математическая модель контроля текущей площади кристалла на основе управления условиями замыкания контактного датчика уровня расплава в тигле, позволяющая вычислить сигнал управления как разность текущей и заданной площади выращиваемых кристаллов

Страницы
835-850
Статья в архиве электронных ресурсов СФУ
https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/20037

Лицензия Creative Commons Эта работа лицензируется по лицензии Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY-NC 4.0).