Измерение площади кристаллов, выращиваемых из жидкого расплава по способу Чохральского, на основе управления условиями замыкания контактного датчика уровня расплава

Номер
Авторы: Саханский, С. П.
Контактная информация: Саханский, С. П.:Сибирский федеральный университет Россия, 660041, Красноярск, пр. Свободный, 79;
Ключевые слова: crucible; growing crystals; the level sen; тигель; выращивание; кристаллы; датчик уровня
Аннотация: Для кристаллов, выращиваемых из жидкого расплава по способу Чохральского, разработана математическая модель контроля текущей площади кристалла на основе управления условиями замыкания контактного датчика уровня расплава в тигле, позволяющая вычислить сигнал управления как разность текущей и заданной площади выращиваемых кристаллов
Страницы: 835-850
Статья в архиве электронных ресурсов СФУ: https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/20037