Журнал СФУ. Математика и физика / Квантово-химическое исследование эндоэдральных иттриевых металлофуллеренов

Полный текст (.pdf)
Номер
Журнал СФУ. Математика и физика: 2017 год, том 10, номер 4
Авторы
Холтобина, Анастасия С.; Цыпленкова, Дарья И.; Кузубов, Александр А.; Высотин, Максим А.; Федоров, Александр С.
Контактная информация
Холтобина, Анастасия С.: Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Академгородок, 50/38, Красноярск, 660036 Сибирский федеральный университет Свободный, 79, Красноярск, 660041 Россия; Цыпленкова, Дарья И.: Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Академгородок, 50/38, Красноярск, 660036 Сибирский федеральный университет Свободный, 79, Красноярск, 660041 Россия; Кузубов, Александр А.: Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Академгородок, 50/38, Красноярск, 660036 Сибирский федеральный университет Свободный, 79, Красноярск, 660041 Россия; Высотин, Максим А.: Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Академгородок, 50/38, Красноярск, 660036 Сибирский федеральный университет Свободный, 79, Красноярск, 660041 Россия; Федоров, Александр С.: Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Академгородок, 50/38, Красноярск, 660036 Сибирский федеральный университет Свободный, 79, Красноярск, 660041 Россия
Ключевые слова
endohedral metallofullerenes Y@C82; ferroelectric properties; density functional theory; эндоэдральные металлофуллерены Y@C82; сегнетоэлектрические свойства; метод функционала плотности
Аннотация

Структурные и электронные свойства одиночного комплекса Y@C82, структуры, состоящей из двух комплексов Y@C82, а также данного комплекса в периодических условиях были исследованы в рамках DFT-GGA–подхода. Моделирование эндоэдральных металлофуллеренов Y@C82 показало возможность формирования из них стабильных кристаллических структур, которые обладают сегнетоэлектрическими свойствами, что может быть применено в электронике и сегнетоэлек- трической памяти

Страницы
422–428
Статья в архиве электронных ресурсов СФУ
http://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/34753