Журнал СФУ. Математика и физика / Температурная зависимость фотопроводимости и оптические свойства тонких пленок In2O3, полученных методом автоволнового окисления

Полный текст (.pdf)
Номер
Журнал СФУ. Математика и физика. 2017 10 (4)
Авторы
Тамбасов, Игорь А.; Мягков, Виктор Г.; Иваненко, Александр А.; Воронин, Антон С.; Волочаев, Михаил Н.; Иванченко, Федор С.; Тамбасова, Екатерина В.
Контактная информация
Тамбасов, Игорь А.: Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Академгородок, 50/38, Красноярск, 660036 Россия; Мягков, Виктор Г.: Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Академгородок, 50/38, Красноярск, 660036 Россия; Иваненко, Александр А.: Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Академгородок, 50/38, Красноярск, 660036 Россия; Воронин, Антон С.: Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН Академгородок, 50/38, Красноярск, 660036 Россия; Волочаев, М.Н.: Институт физики СО РАН им. Л.В. Киренского Россия, 660036, Красноярск, Академгородок, 50/38; Иванченко, Федор С.: Сибирский федеральный университет Свободный 79, Красноярск, 660041, Россия; Тамбасова, Екатерина В.: Сибирский государственный аэрокосмический университет Красноярский рабочий, 31, Красноярск, 660037, Россия
Ключевые слова
In2O3 thin films; photoconductance; autowave oxidation; тонкие пленки In2O3; фотопроводимость; автоволновое окисление
Аннотация

Экспериментально исследовано влияние ультрафиолетового (УФ) излучения и температуры на электрические и оптические свойства пленок In2O3, полученных методом автоволнового окисле- ния. При измерении в темноте сопротивление пленки менялось незначительно при температу- рах от 300 до 95 К и более заметно при дальнейшем уменьшении температуры. Под воздействием УФ–облучения удельное сопротивление пленок при комнатной температуре резко снизилось на 25 %, от 300 до 95 К, и продолжало снижаться до 38% с дальнейшим понижением темпера- туры. При отключении УФ–источника значение сопротивления релаксировало со скоростью 15 Ом/с в течение первых 30 секунд и 7 Ом/с в течение оставшегося времени. После прекращения облучения коэффициент пропускания снизился на 3,1% при длине волны 6,3 мкм. Скорость ре- лаксации коэффициента пропускания составила 0,006 %/с. Релаксации электрического сопротив- ления и коэффициента пропускания после прекращения УФ–облучения были одинаковыми. Пред- полагается, что доминирующим механизмом, ответственным за изменения проводимости в пленках оксида индия в процессе УФ-облучения, было фотовосстановление

Страницы
399–409
Статья в архиве электронных ресурсов СФУ
https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/34759