Журнал СФУ. Техника и технологии / Термоэлектрическая добротность в низкоразмерной полупроводниковой среде

Полный текст (.pdf)
Номер
Журнал СФУ. Техника и технологии. 2013 6 (6)
Авторы
Патрушева, Т.Н.; Подорожняк, С.А.; Шелованова, Г.Н.
Контактная информация
Патрушева, Т.Н.:Сибирский федеральный университет, Россия 660041, Красноярск, пр. Свободный, 79; Подорожняк, С.А.:Сибирский федеральный университет, Россия 660041, Красноярск, пр. Свободный, 79; Шелованова, Г.Н.:Сибирский федеральный университет, Россия 660041, Красноярск, пр. Свободный, 79; E-mail:
Ключевые слова
термоэлектричество; коэффициент Зеебека; низкоразмерные среды; thermoelectricity; Seebeck coefficient; low-dimensional medium; gallium arsenide; silicon
Аннотация

В работе исследованы термоэлектрические характеристики полупроводниковых систем, которые могут быть использованы для создания термоэлектрических преобразователей. Экспериментально изучены и рассчитаны коэффициенты Зеебека и добротность в системах «полупроводник–пористый полупроводник». Показано, что электрохимическая обработка полупроводников вызывает изменение структуры и энергетических характеристик материалов, что приводит к многократному увеличению коэффициента Зеебека и, соответственно, добротности термоэлектрических систем

Страницы
657-664
Статья в архиве электронных ресурсов СФУ
https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/10050

Лицензия Creative Commons Эта работа лицензируется по лицензии Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY-NC 4.0).