Журнал СФУ. Химия / Теоретическое исследование зависимости миграции одиночной вакансии в графене от деформации

Полный текст (.pdf)
Номер
Журнал СФУ. Химия. 2010 3 (3)
Авторы
Ананьева, Ю.Е.; Елисеева, Н.С.; Краснов, П.О.; Кузубов, А.А.; Федоров, А.С.
Контактная информация
Ананьева, Ю.Е. : Сибирский федеральный университет , Россия 660041, Красноярск, пр. Свободный, 79 , e-mail: ; Елисеева, Н.С. : Сибирский федеральный университет , Россия 660041, Красноярск, пр. Свободный, 79; Краснов, П.О. : Сибирский государственный технологический университет , Россия 660049, Красноярск, пр. Мира, 82; Кузубов, А.А. : Сибирский федеральный университет Сибирский государственный технологический университет , Россия 660041, Красноярск, пр. Свободный, 79 Россия 660049, Красноярск, пр. Мира, 82; Федоров, А.С. : Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН , Россия 660036, Красноярск, Академгородок
Ключевые слова
квантовая химия; графен; вакансии; деформация; quantum chemistry; graphene; defects; deformation
Аннотация

Проведено теоретическое исследование влияния внешнего давления на миграцию дефектов в графеновых слоях. Установлено, что сжатие структуры в направлении, параллельном миграции вакансии, а также растяжение в перпендикулярном направлении понижают энергию активации перемещения вакансий, что приводит к увеличению частоты перескока. На основании полученных данных возможно создание метода, позволяющего локализовать дефекты в структуре графена, не прибегая к отжигу до высоких температур.

Страницы
305-310
Статья в архиве электронных ресурсов СФУ
https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/2186