Развитие технологии получения и исследования пористого кремния

Полный текст (.pdf)
Номер
Техника и технологии. Engineering & Technologies. 2011 4 (1)
Авторы
Юзова, В.А.; Левицкий, А.А.; Харлашин, П.А.
Контактная информация
Юзова, В.А. : Сибирский федеральный университет , Россия 660041, Красноярск, пр. Свободный, 79; Левицкий, А.А. : Сибирский федеральный университет , Россия 660041, Красноярск, пр. Свободный, 79; Харлашин, П.А. : Сибирский федеральный университет , Россия 660041, Красноярск, пр. Свободный, 79 , e-mail:
Ключевые слова
пористый кремний; кремниевые структуры; кремниевые технологии; микро- и наноэлектроника; porous silicon; silicon structures; silicon technology; micro- and nanoelectronics
Аннотация

Работа представляет собой обзор исследований, проведенных в рамках Федеральной целевой программы «Интеграция науки и высшего образования России» студентами и аспирантами под совместным научным руководством преподавателей кафедры «Приборостроение и наноэлектроника» и сотрудников института физики СО РАН в области одного из актуальных технологических направлений микро- и наноэлектроники - развитии технологии получения пористого кремния. Цель данных исследований состоит в разработке кремниевых материалов и структур, обладающих новыми стабильными свойствами, которые в ближайшем будущем позволят значительно расширить диапазон параметров существующих устройств современной микроэлектроники и будут способствовать созданию оригинальных приборов.

Страницы
92-112
Статья в архиве электронных ресурсов СФУ
http://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/2279

Лицензия Creative Commons Эта работа лицензируется по лицензии Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY-NC 4.0).