Журнал СФУ. Химия / Ионный перенос и дефектная структура в двойном оксиде висмута-германия Bi12GeO20-X

Полный текст (.pdf)
Номер
Журнал СФУ. Химия. 2011 4 (2)
Авторы
Шиманский, А.Ф.; Васильева, М.Н.; Самойло, А.С.; Фомина, К.Н.
Контактная информация
Шиманский, А.Ф. : Сибирский федеральный университет Институт цветных металлов и материаловедения , Россия 660025, Красноярск, пр. Красноярский рабочий, 95; Васильева, М.Н. : Сибирский федеральный университет Институт цветных металлов и материаловедения , Россия 660025, Красноярск, пр. Красноярский рабочий, 95; Самойло, А.С. : Сибирский федеральный университет Институт цветных металлов и материаловедения , Россия 660025, Красноярск, пр. Красноярский рабочий, 95; Фомина, К.Н. : Сибирский федеральный университет Институт цветных металлов и материаловедения , Россия 660025, Красноярск, пр. Красноярский рабочий, 95 , e-mail:
Ключевые слова
двойной оксид висмута-германия; отклонение от стехиометрии; электропроводность; диффузия; bismuth-germanium double oxide; deflection from the stoichiometry; electrical conductivity; diffusion
Аннотация

Исследована электрическая проводимость двойного оксида висмута-германия Bi12GeO20-Х при нагревании в атмосфере воздуха и изменении состава газовой среды. На основании полученных данных рассчитаны коэффициент химической диффузии кислорода и степень нестехиометричности соединения, находящегося в равновесии с кислородом среды воздуха.

Страницы
127-134
Статья в архиве электронных ресурсов СФУ
https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/2468