Журнал СФУ. Техника и технологии / Влияние строения на электропроводность кристаллов полупроводникового германия

Полный текст (.pdf)
Номер
Журнал СФУ. Техника и технологии. 2011 4 (5)
Авторы
Шиманский, А.Ф.; Подкопаев, О.И.; Вахрин, В.В.
Контактная информация
Шиманский, А.Ф. : Сибирский федеральный университет , Россия 660025, Красноярск, пр. Свободный, 79 , e-mail: ; Подкопаев, О.И. : ОАО «Германий» , Россия 660027, Красноярск, Транспортный проезд, 1; Вахрин, В.В. : ОАО «Германий» , Россия 660027, Красноярск, Транспортный проезд, 1
Ключевые слова
полупроводники; германий; электропроводность; поверхностные электронные состояния; semiconductors; germanium; the electrical conductivity; electronic surface states
Аннотация

Установлен характер взаимосвязи электропроводности и строения поликристаллических образцов германия полупроводникового оптического качества (ГПО) и особо чистого германия (ОЧГ). Удельная электрическая проводимость ГПО снижается при уменьшении размера кристаллитов, что связано с уменьшением подвижности носителей заряда, вызванным их рассеянием на границах кристаллитов. Противоположная тенденция выявлена при исследовании ОЧГ, его электропроводность возрастает с уменьшением размера кристаллитов вследствие увеличения концентрации поверхностных электронных состояний.

Страницы
542-546
Статья в архиве электронных ресурсов СФУ
https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/2680

Лицензия Creative Commons Эта работа лицензируется по лицензии Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY-NC 4.0).