Журнал СФУ. Математика и физика / Влияние технологических особенностей на чувствительность сенсоров на основе ферромагнитных структур

Полный текст (.pdf)
Номер
Журнал СФУ. Математика и физика. 2017 10 (2)
Авторы
Дюжев, Николай А.; Юров, Алексей С.; Мазуркин, Никита С.; Чиненков, Максим Ю
Контактная информация
Дюжев, Николай А.: Национальный исследовательский университет электронных технологий (МИЭТ) Шокина, 1, Москва, Зеленоград, 124498 Россия; Юров, Алексей С.: Национальный исследовательский университет электронных технологий (МИЭТ) Шокина, 1, Москва, Зеленоград, 124498 Россия; Мазуркин, Никита С.: Национальный исследовательский университет электронных технологий (МИЭТ) Шокина, 1, Москва, Зеленоград, 124498 Россия; Чиненков, Максим Ю.:Национальный исследовательский университет электронных технологий (МИЭТ) Шокина, 1, Москва, Зеленоград, 124498 Россия
Ключевые слова
magnetoresistive sensor; MEMS; magnetoresistance; magnetoresistor; магниторезистивный сенсор; MEMС; магнеторезистивность; магнеторезистор
Аннотация

Основными актуальными задачами в разработке первичных преобразователей на основе магни- торезистивных структур являются повышение чувствительности и термостабильности. Чув- ствительность определяется как отношение величины выходного сигнала (напряжение разбалан- са мостовой схемы под действием магнитного поля) к величине магнитного поля на линейном участке передаточной характеристики. Были изготовлены магниторезистивные структуры с широким диапазоном чувствительности от 3.0 (мВ/В)/(кА/м) до 9,4 (мВ/В)/(кА/м) при зна- чении поля смещения 1 кА/м. Установлено, что основное влияние на чувствительность сенсора оказывает ширина полос пермаллоя. Расстояние между полосами имеет существенно меньший эффект

Страницы
181–185
Статья в архиве электронных ресурсов СФУ
https://elib.sfu-kras.ru/handle/2311/31578